1月25日，世界第二大存储芯片厂商、韩国巨头SK Hynix （以下称“SK海力士”）发布了2023年第四季度财报。
其营收同步增长47.4%至11.3万亿韩元（约合84.5亿美元），营业利润达3460亿韩元（约合2.6亿美元），去年同期为亏损1.9万亿韩元（约合14.2亿美元）。这也是自2022年年末该公司出现巨亏后，首次扭亏为盈。
资本市场对SK海力士的扭亏颇感“意外”。
存储市场暴跌造成的存储厂商利润腰斩，从2022年一路延续至2023年。去年前三个季度，该公司一直处于亏损状态，且止跌回升的趋势并不十分明显。根据伦敦证券交易所集团汇总23位分析师的意见，预测公司第四季度亏损1920亿韩元。
SK海力士之所以逆势增长，主要归因于先进制程存储芯片的订单剧增，特别是公司利用最新一代HBM技术开发的DRAM（动态随机存储内存，手机与电脑最常用的一种内存）存储芯片订单增加。
HBM，全称为High Bandwidth Memory，是一种高带宽存储技术，其核心原理是通过3D堆叠技术把多个DRAM芯片连接组合为一体。采用此技术生产出的内存芯片不仅带宽高、功耗低，而且密度高、占用空间小，可以存储更多数据且传输速度更快。
三星、SK海力士、美光目前占据全球DRAM内存市场超九成的市场份额，而SK海力士一直是业内最积极布局研发HBM技术的存储厂商，并做过四次迭代升级。三星、美光也都在加紧布局HBM技术及相关产品线，将之视作下一代DRAM内存芯片的进化方向。
进入2023年后，人工智能大模型的横空出世不仅带动了算力需求暴涨，还使行业意识到越来越多的数据需要被存储，高带宽、大容量的HBM技术备受追捧。
凭借先发优势，SK海力士此前数年都是英伟达HBM的独家供应商。但现在，英伟达为了建立一个稳定的供应链，计划引入更多HBM供应商，三星、美光的HBM3方案去年都已完成其产品验证。这种做法与苹果采用多个供应商以加强主导权类似。
据SK海力士透露，公司生产的HBM3芯片销量同比增长超5倍。同时，公司预计将于今年上半年开始量产下一版本HBM，即HBM3E，并继续开发HBM4芯片。
除HBM外，SK海力士主力产品DDR5 DRAM同比增长了4倍。在今年的CES上，公司也宣布将在一季度增加DRAM芯片产能。
对于市场复苏相对缓慢的NAND Flash闪存产品线，SK海力士当下策略主要是降本增效，控制投资及相关支出费用，未来观望市场变化再调整生产计划。
SK海力士CFO Kim Woohyun强调，公司将努力成为一家“AI存储芯片供应商”。
在AI的强力助推下，存储芯片市场有望走出长达一年的低谷。就在前一天，光刻机巨头ASML的CEO Peter Wennink也判断，存储市场会在2024年重回增长，复苏的核心动力是AI激发HBM这样先进存储产能的巨大需求。
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